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Infineon Technologies IRFS17N20DPBF
| Artikelnummer: | IRFS17N20DPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Infineon Technologies IRFS17N20DPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRFS17N20DPBF.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 9.8A, 10V Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc) IRFS17N20DPBF Einzelheiten PDF [English] IRFS17N20DPBF PDF - EN.pdf -
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